[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-8] キトサン/ダイヤモンド複合マイクロビーズによるSiCウェハのOne-Step鏡面化

〇吉田 恭平¹、古賀 正樹²、清水 隆邦²、高藤 誠³、永岡 昭二^1,4 (1.熊本産技セ、2.濱田重工（株）、3.熊大院先科研、4.熊大創生)

キーワード：炭化ケイ素、複合球状粒子、研磨技術

炭化ケイ素（SiC）は次世代パワー半導体として有望視されているが、平滑なウェハ製造に煩雑な多段階研磨プロセスを要する。SiCウェハを効率的に研削・研磨できるキトサン/Dia複合粒子の構築を開発した。これら粒子を用いて研磨実験を行ったところ、研磨速度11.8 mm/h、表面粗さ3.4 nmとなり全面鏡面状態となった。機械研磨能と化学機械研磨能を兼ね備えた研磨材を開発することができた。