[20p-C401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [20p-C401-14] SiGe Quantum-Dot Formation in Si-Oxide Film using Double Si⁺/Ge⁺ Hot Ion Implantation

〇Koki Murakawa¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Samejima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, SiGe, hot ion implantation

低エネルギーでのPL発光を目指し,酸化膜中へのダブルSi⁺/Ge⁺ホットイオン注入法によるSiGe量子ドットの形成と,PL発光特性について検討し,Si酸化膜中にSiGe-QDの形成と近赤外域PL発光を実現できた.