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[20p-P03-1] 単電子NAND回路の入出力特性
キーワード:単電子デバイス、単電子NAND回路
集積回路の内部の論理回路はCMOS構成の論理ゲートにより組み立てられている。CMOS構成に類似した単電子トランジスタ(SET)を用いた論理ゲートについては、実験または数値シミュレーションによる研究成果が報告されている。その中でもNOT回路についての研究は盛んであるが、NAND回路についての研究成果は少ない。そこで本研究では、単電子NAND回路全体を一体のモデルとして解析を行い、電子の離散性を反映した階段的な出力電圧が得られることを明らかにする。