[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-17] Defect density extraction of GaN epitaxial wafer with back-gate voltage application

〇Kisara Nishida¹, Takuya Hoshii¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui², Kuniyuki Kakushima¹ (1.Tokyo Tech School of Eng, 2.Tokyo Tech IIR)

Keywords:GaN, defect density extraction, 2DEG

窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップ、高移動度を持つため、高周波・高耐圧デバイス材料として注目を集めている。しかし、Siウエハ上GaNエピタキシャル基板は欠陥が多く、表面やバッファー層に電子がトラップされてしまうコラプスの問題がある。Si基板をバックゲートとみなし、そこへステップ上の電圧を印加することで2次元電子ガス(2DEG)の過渡的な電流変化を読み取り、エピタキシャルウエハ内の欠陥を抽出することを試みた。