[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-17] バックゲート電圧印加によるGaNエピ基板中の欠陥抽出

〇西田 きさら¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院)

キーワード：窒化ガリウム、欠陥抽出、2次元電子ガス

窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップ、高移動度を持つため、高周波・高耐圧デバイス材料として注目を集めている。しかし、Siウエハ上GaNエピタキシャル基板は欠陥が多く、表面やバッファー層に電子がトラップされてしまうコラプスの問題がある。Si基板をバックゲートとみなし、そこへステップ上の電圧を印加することで2次元電子ガス(2DEG)の過渡的な電流変化を読み取り、エピタキシャルウエハ内の欠陥を抽出することを試みた。