[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-21] Rapid Annealing of Gallium Nitride Substrate by Microwave Magnetic Field and its Characterization of the Substrate

〇Takashi Nakamura¹, Masateru Nishioka¹, Heajeong Cheong², Atsushi Tanaka², Hiroshi Amano² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:microwave, ion implantation, annealing

イオン注入された窒化ガリウムは、注入により壊れた結晶を回復させるため、アニーリングが必要である。その温度は約1300℃と高温であり、エネルギー多消費型のプロセスである。研究ではマイクロ波の直接加熱の特性により20秒以内に1400℃まで加熱できる省エネプロセスを開発した。また、加熱には結晶のベクトルと電磁界ベクトルとの関係が重要であることも明らかにしたので報告する。