[21a-A102-1~7] 9.3 Nanoelectronics

△ [21a-A102-5] Investigation of Nanogap Formation by Electromigration Method in Applied Electric Field II

〇Hiroyuki Motoyama^1,2, Hiroshi Suga¹, Hisashi Shima², Hiroyuki Akinaga², Yasuhisa Naitoh² (1.ChibaTech, 2.AIST)

Keywords:nanogap, electromigration, electric field effect

ナノギャップ電極はelectromigration(EM)法を利用することで微小構造を形成できる．しかし，ナノギャップ形成位置がランダムであり，多端子形状への応用は困難であるという問題を抱えていた．前回，我々はEM法中に外部電界を印加することで，形成位置を制御できる可能性を報告した．今回，複数のゲート電圧を印加し，ナノギャップ形成位置に対するゲート電圧依存性を検証した．