[21a-A105-1~9] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[21a-A105-1] Effect of Sb Beam Equivalent Pressure on Crystal Quality of AlInSb Thin Film

〇Ryuto Machida¹, Kouichi Akahane¹, Issei Watanabe¹, Shinsuke Hara¹, Akifumi Kasamatsu¹ (1.NICT)

Keywords:antimonide-based compound semiconductors, heteroepitaxial growth, 3D nucleation

本研究では，Sbビーム等価圧力（BEP）がGaAs上AlInSb薄膜結晶の分子線エピタキシー成長に与える影響をX線回折スペクトル半値幅との関係から調査し，その結晶の高品質化について検討した。結果，Sb BEPの増加によってAlおよびIn原子の表面マイグレーション長が短くなることで成長初期のAlInSb 3次元核が小型・高密度になり，薄膜結晶性が向上したことを示唆していた。