[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-2] GaAs基板上メタモルフィックInAsSbの積み増しアニールによる結晶性改善の検討

〇中川 翔太¹、本部 好記¹、岩切 優人¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MOVPE、InAsSb、annealing

今回はGaAs基板上InAsSbを低温成長後アニールし、その後低温成長させる積み増しアニールによって結晶性の改善を目指した。今回作製した試料について、透過型電子顕微鏡による断面の観察から、断面上部では転位が低減されたことが分かったが、原子間力顕微鏡を用いて前回作製した一括成長後アニール試料と今回作製した試料を比較した結果、積み増しアニールによって平坦性は悪化したことが分かった。