[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-3] InAs基板上InAsSb/InAsP量子井戸の歪補償構造と発光特性の調査

〇本部 好記¹、中川 翔太¹、岩切 優人¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MOVPE、InAsSb、歪補償

本研究では有機金属気相成長法(MOVPE)を用いて、InAs基板上にInAsSb/InAsPの10層の歪補償量子井戸を成長した。室温で明瞭なフォトルミネッセンス発光が得られた。InAsP歪補償層の組成、膜厚による違いやペア数による違いなど詳細な結果についても報告する