[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-7] GaAs(001)微傾斜基板上InGaAsNのキャリア移動度の温度依存性解析

〇(M1)玉城 大天¹、小島 信晃¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工大)

キーワード：半導体、N添加混晶