[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-8] Porous Si基板の孔の深さがGaAs薄膜成長に与える影響

〇源 龍之介¹、河野 将大¹、藤岡 宏輔¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮大工)

キーワード：多孔質 Si