[21a-A106-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[21a-A106-2] Improved thermoelectric properties of polycrystalline Ge layers by ternary alloying

〇Shintaro Maeda¹, Takamitsu Ishiyama¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Germanium, Thin film, Solid phase crystallization

IV族三元混晶半導体は、その高いゼーベック係数や低い熱伝導率により、環境調和型熱電材料 としての近年注目を集めている。我々はこれまでに、高密度非晶質Geを前駆体とした固相成長により、Ge薄膜の高移動度化を達成してきた。さらに、これらのGe薄膜の熱電応用を検討した結果、多結晶半導体薄膜の中でも最高レベルの出力因子を実証した。しかし、単体Ge膜の熱伝導率は依然として高く、無次元性能指数ZTは制限されている。本研究では、固相成長Ge膜をベースとすることで高い出力因子を維持しながら、SiやSnとの混晶化により積極的に熱伝導率を低減することを検討した。