[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21a-A106-3] 界面変調型固相成長とポストアニールの重畳によるSn添加多結晶Ge極薄膜の高キャリア移動度化

〇古賀 泰志郎¹、永野 貴弥¹、茂藤 健太^2,3、山本 圭介²、佐道 泰造¹ (1.九大シス情、2.九大総理工、3.学振特別研究員)

キーワード：半導体