The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.5 Group IV crystals and alloys

[21a-A106-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

Wed. Sep 21, 2022 9:00 AM - 11:15 AM A106 (A106)

Masashi Kurosawa(Nagoya Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[21a-A106-8] GeSn epitaxial growth on Ge(100) substrate by sputter deposition

Mizuki Kuniyoshi1,2, Kazuya Abe2, Nobuyuki Tanaka2, Masaki Hoshihara2, Takuma Kobayashi2, Takayoshi Shimura2, Heiji Watanabe2 (1.ULVAC, Inc., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Sputter, Epitaxial growth, GeSn

GeSnは、Sn添加や引張歪みの印加により間接遷移型から直接遷移構造へバンド構造変調するため、近赤外領域受光材料として期待されている。GeSn膜は主にCVDやMBEによる低温での非平衡成長が検討されているが、結晶欠陥の発生が報告されている。本研究では、Ge基板上へのスパッタ成膜によるGeSnのエピタキシャル成長の検討を行い、その結果500℃成膜で界面及び膜中に転位などの結晶欠陥のない膜が得られた。