[21a-A106-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[21a-A106-8] GeSn epitaxial growth on Ge(100) substrate by sputter deposition

〇Mizuki Kuniyoshi^1,2, Kazuya Abe², Nobuyuki Tanaka², Masaki Hoshihara², Takuma Kobayashi², Takayoshi Shimura², Heiji Watanabe² (1.ULVAC, Inc., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Sputter, Epitaxial growth, GeSn

GeSnは、Sn添加や引張歪みの印加により間接遷移型から直接遷移構造へバンド構造変調するため、近赤外領域受光材料として期待されている。GeSn膜は主にCVDやMBEによる低温での非平衡成長が検討されているが、結晶欠陥の発生が報告されている。本研究では、Ge基板上へのスパッタ成膜によるGeSnのエピタキシャル成長の検討を行い、その結果500℃成膜で界面及び膜中に転位などの結晶欠陥のない膜が得られた。