[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21a-A106-8] スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長

〇國吉 望月^1,2、安部 和弥²、田中 信敬²、星原 雅生²、小林 拓真²、志村 考功²、渡部 平司² (1.アルバック協働研、2.阪大院工)

キーワード：スパッタ、エピタキシャル成長、GeSn

GeSnは、Sn添加や引張歪みの印加により間接遷移型から直接遷移構造へバンド構造変調するため、近赤外領域受光材料として期待されている。GeSn膜は主にCVDやMBEによる低温での非平衡成長が検討されているが、結晶欠陥の発生が報告されている。本研究では、Ge基板上へのスパッタ成膜によるGeSnのエピタキシャル成長の検討を行い、その結果500℃成膜で界面及び膜中に転位などの結晶欠陥のない膜が得られた。