[21a-A106-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [21a-A106-9] Characterization of Sputter Deposited Epitaxial GeSn Layers on Ge(100) Substrate

〇Nobuyuki Tanaka¹, Kazuya Abe¹, Masaki Hoshihara¹, Mizuki Kuniyoshi², Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.ULVAC, Inc.)

Keywords:GeSn, sputter, epitaxial

GeSn半導体はSn組成の増加や引張歪みの印加に伴い、バンド構造が間接遷移型から直接遷移型へ変調するため、近赤外領域の受発光素子として期待されている。しかしながら、Ge中へのSnの固溶限は1%と低く、成長中のSnの偏析や結晶欠陥が問題である。我々はこの問題の解決策として、現行のMBEやCVDではなく、スパッタ成膜によるGeSnのエピタキシャル成長を検討し、XPSやフォトルミネッセンス測定などを通じて物理特性評価を行った。