[21a-B202-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[21a-B202-6] 大気中MOCVD法によるCIGS太陽電池用ZnSバッファ層の作製

〇(M1)古牧 郁弥¹、船木 顕広¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東工大)

キーワード：CIGS太陽電池、ZnS バッファ層

Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS)太陽電池におけるn型バッファ層は，従来CdSが広く用いられてきた．しかしCdSは，廃液処理コストを伴う化学溶液析出法により堆積されている．また，CdSの禁制帯幅(E_g)は2.4 eVと狭く，短波長領域での光学損失が問題となる．本稿では，量産に有利な非真空かつドライプロセスである大気中有機金属気相成長(atmospheric MOCVD)法を用いて低環境負荷のZnSバッファ層を作製し，結晶構造および光学的特性の調査を行ったので報告する．