[21a-B203-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21a-B203-10] Random lasing from laser-induced roughness structures on ZnO single crystal

〇Yuki Kamakura¹, Toshihiro Nakamura¹, Ryota Suzuki¹ (1.Hosei Univ.)

Keywords:random lasing, zinc oxide

ランダムレーザーは散乱体と光利得媒質で構成されるレーザー源であり、簡易に良質な結晶が成長可能であるZnOがよく用いられる。近年、GaN基板上へのレーザー照射によりラフネス構造を形成し，ランダムレーザーとして動作させる提案がなされ、当研究室でもZnOで同様の報告をしている。今回、異なる結晶方位を持つZnO単結晶基板上にレーザー誘起構造を形成し、そのランダムレーザー特性の評価を行った。