[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-10] 酸化亜鉛基板上に形成したレーザー誘起ラフネス構造からのランダムレーザー発振

〇鎌倉 悠暉¹、中村 俊博¹、鈴木 涼太¹ (1.法政大院理工)

キーワード：ランダムレーザー、酸化亜鉛

ランダムレーザーは散乱体と光利得媒質で構成されるレーザー源であり、簡易に良質な結晶が成長可能であるZnOがよく用いられる。近年、GaN基板上へのレーザー照射によりラフネス構造を形成し，ランダムレーザーとして動作させる提案がなされ、当研究室でもZnOで同様の報告をしている。今回、異なる結晶方位を持つZnO単結晶基板上にレーザー誘起構造を形成し、そのランダムレーザー特性の評価を行った。