[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-9] Ar/N₂混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化SnO_x­­­の特性評価

〇(M1)川口 拓真¹、渡辺 幸太郎¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：酸化物半導体、窒素ドープ、窒素雰囲気下スパッタリング