[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-2] 非極性p型ZnMgO:N薄膜のMBE成長

〇後藤 憲應¹、萩原 綱隆¹、兵頭 歩¹、込堂 大¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹、赤岩 和明¹ (1.鳥取大学)

キーワード：非極性a面ZnMgO:N、p型伝導制御、分子線エピタキシー (MBE)

ZnO:Nは極性面のc面で成長を行うと表面に分極による電界が生じNアクセプタのドーピングを阻害する. そこで我々は非極性面である a 面 ZnO:N を r 面 sapphire 上にエピタキシャル成長させることで分極による電界の発生を抑え, as-grownで10¹⁸cm^-3のp-ZnO:Nを得た. 今回, ダブルヘテロ構造に必須となるp-ZnMgO:Nについてas-grownで10¹⁷cm^-3のp型を得たので報告する.