[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-6] 高抵抗ZnO基板における吸収端の電界依存性

〇遠藤 治之¹、柏葉 安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

キーワード：酸化亜鉛、フランツ・ケルディッシュ効果

我々はこれまでアバランシェ増幅動作を目指した光起電力型ZnO紫外線センサ開発を行ってきた。半導体に電界が印加された場合、吸収端が低エネルギー化するFranz-Keldysh効果が知られているが10⁴ V/cm以上の高電界が印加された場合、吸収端の低エネルギー化が顕著となり分光感度特性に影響を及ぼす恐れがある。そこで本研究では、高抵抗ZnO基板を使用し、電界による吸収端の変化を評価したので報告する。