The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21a-B203-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 21, 2022 9:00 AM - 12:00 PM B203 (B203)

Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[21a-B203-7] Electrical control of ZnO random lasing characteristics by liquid crystals

Naoto Hara1, Toshihiro Nakamura1, Tomoyuki Sasaki2 (1.Hosei Univ., 2.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:random laser, zinc oxied

ランダムレーザーは散乱体と光利得媒質で構成されるレーザー源である.利得媒質は色素分子や半導体などが用いられ,半導体は電気的励起を行える利点がある.酸化亜鉛はレーザー材料であり,ランダムレーザーにも用いられる.そして色素分子有機膜に散乱体として液晶分子を混合した系で電圧印加によるランダムレーザー発振の制御が報告がされており、本研究では酸化亜鉛ランダムレーザー特性の液晶分子による電気的制御を試みた.