[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-8] 窒素アニール還元反応によるSnO_x薄膜の局所結合状態

〇渡辺 幸太郎¹、川口 拓真¹、山口 智広¹、尾沼 猛義¹、本田 徹¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：窒素アニール、SnO2、還元反応