[21a-B204-1~10] 6.3 Oxide electronics

[21a-B204-2] Evaluation of gate voltage response of H_xWO_3-δ films by using Nanogap-IL-FET

〇Masaki Ise¹, Hiroyuki Kai¹, Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:field effect transistor, ionic liquid, oxygen vacancy

イオン液体を用いた電界効果トランジスタ(IL-FET)は, 低いゲート電圧(V_G)で金属酸化物チャネル(MO)の物性を変化できる注目の技術である. しかし物性変化の要因は静電キャリア注入, 酸素欠陥(V_O)の生成/酸化, プロトンの注入/脱離など様々で, いずれが支配的であるか議論の余地がある. そこで我々は, 幅が数十～百nmのソース・ドレイン電極(S-D EL)を具えたFETを作製し, S-D間を抵抗変化メモリとして動作させることで, MOのV_O濃度を制御した. 本研究ではMOとしてH_xWO₃およびWO₃を用い, WO₃抵抗のV_G印加による変調の原因を調査した.