[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-2] ナノギャップソース-ドレイン電極を具えた電界効果トランジスタ構造を用いたH_xWO_3-δ薄膜のゲート電圧応答評価

〇伊勢 柾希¹、甲斐 洋行¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：電界効果トランジスタ、イオン液体、酸素欠陥

イオン液体を用いた電界効果トランジスタ(IL-FET)は, 低いゲート電圧(V_G)で金属酸化物チャネル(MO)の物性を変化できる注目の技術である. しかし物性変化の要因は静電キャリア注入, 酸素欠陥(V_O)の生成/酸化, プロトンの注入/脱離など様々で, いずれが支配的であるか議論の余地がある. そこで我々は, 幅が数十～百nmのソース・ドレイン電極(S-D EL)を具えたFETを作製し, S-D間を抵抗変化メモリとして動作させることで, MOのV_O濃度を制御した. 本研究ではMOとしてH_xWO₃およびWO₃を用い, WO₃抵抗のV_G印加による変調の原因を調査した.