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[21a-B204-6] Pt/Ti0.99Sc0.01O2-δ/Pt多層膜のキャリア密度と脳型的忘却特性の電流応答
キーワード:Pt/Sc-TiO2/Pt多層膜、忘却特性、脳型素子
パルス電圧印加によるイオンの移動を利用し、記憶の短期・長期特性を実現するデバイスが報告されている。また以前TiO2の利用により低電圧動作を実現したが、逆電圧印加による記憶消去については明らかでなかった。そこで本研究ではPt/Ti0.99Sc0.01O2-δ/Pt多層膜に対する逆電圧印加によって記憶消去の実現を目的とした。当日は種々の構造・電気特性の結果を踏まえ忘却特性のメカニズムについて報告する。