[21a-C102-1~11] 9.4 Thermoelectric conversion

[21a-C102-2] Effect of Schottky barrier at Fe₂V_0.8W_0.2Al/Si interface on
thermoelectric properties

〇Toshimitsu Maeda¹, Mutsunori Uenuma¹, Shoma Ishida¹, Koki Enomoto¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:thermoelectric device, thin film

薄膜型の熱電変換素子は低コストで生産が可能であるが、従来のバルク熱電変換素子に比べて電力密度が低い。しかし、近年になってSi基板上に堆積したFe₂V_0.8W_0.2Al薄膜が高い出力因子を持つこと報告されたが、この特異的な要因は十分な議論がなされていない。そこで、本研究では基板複合構造を作製し、界面のショットキー障壁がこのような特異的な熱電特性に与える影響について評価した。