[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21a-C105-2] 磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面磁気異方性に与える影響

〇名和 卓哉¹、森下 佳祐¹、洗平 昌晃^1,2、遠藤 哲朗^3,4,5、白石 賢二^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東北大国際集積センター、4.東北大院工、5.東北大通研)

キーワード：MRAM、磁気異方性