2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:15 C105 (C105)

木下 健太郎(東理大)、山内 智(茨大)

09:30 〜 09:45

[21a-C105-3] 電気化学的酸化法によるTa酸化膜の形成とReRAMへの適用:酸化膜形成時の純水滴下効果

宮田 直仁1、末木 学1、石井 晶芳1、高橋 昌男1、茂庭 昌弘1 (1.東京工科大工)

キーワード:半導体、陽極酸化、表面モフォロジー

IoTウェアラブルデバイスの低消費電力化, 小型化に向けて抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている. ReRAMの主な作製方法にはいくつかあるが, 電気化学的酸化法は,低温・低コストで, 記憶層にあたる酸化膜を形成できる特徴がある. 酸化溶液の水分濃度30mMでReRAM特有のI-V特性が再現性よく観測されたと報告されている. 今回, 新しい製法として5µLの純水を滴下して試料を作製し, 評価した.