[21a-C105-1~12] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[21a-C105-3] Tantalum-oxide thin film formation by electrochemical oxidation method and its application to ReRAM cell formation: effect of water-drop-additions during oxidation

〇Naohito Miyata¹, Manabu Sueki¹, Yoshiaki Ishii¹, Masao Takahashi¹, Masahiro Moniwa¹ (1.Tokyo Univ. of Tecnology)

Keywords:semiconductor, anodic oxidation, surface morphology

IoTウェアラブルデバイスの低消費電力化, 小型化に向けて抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている. ReRAMの主な作製方法にはいくつかあるが, 電気化学的酸化法は,低温・低コストで, 記憶層にあたる酸化膜を形成できる特徴がある. 酸化溶液の水分濃度30mMでReRAM特有のI-V特性が再現性よく観測されたと報告されている. 今回, 新しい製法として5µLの純水を滴下して試料を作製し, 評価した.