[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-C200-1] GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス

〇大西 一生¹、藤元 直樹¹、新田 州吾¹、渡邉 浩崇¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2,3 (1.名大IMaSS、2.名大ARC、3.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長、窒化ガリウム