11:30 AM - 11:45 AM
[21a-C200-10] Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN
Keywords:GaN, TEM
Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール(1300℃-1480 ℃, 0.5min-90min)を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では透過型電子顕微鏡(TEM)で観察される4 種類の結晶欠陥について、TEM 解析から決定した各欠陥のバーガースベクトルと、アトムプローブトモグラフィー(APT)によって求めた各欠陥の Mg 凝集濃度の相関について報告する。