[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-C200-10] Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN

〇Ritsuo Otsuki¹, Kano Emi¹, Keita Kataoka², Jun Uzuhashi³, Hideki Sakurai¹, Akira Uedono⁴, Tetsuo Narita², Kacper Sierakowski⁵, Michal Bockowski^1,5, Koki Kobayashi¹, Tadakatsu Ohkubo³, Kazuhiro Hono³, Tetsu Kachi¹, Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyota Central Labs., 3.NIMS, 4.Univ. of Tsukuba, 5.IHPP PAS)

Keywords:GaN, TEM

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール（1300℃－1480 ℃, 0.5min－90min）を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では透過型電子顕微鏡(TEM)で観察される4 種類の結晶欠陥について、TEM 解析から決定した各欠陥のバーガースベクトルと、アトムプローブトモグラフィー(APT)によって求めた各欠陥の Mg 凝集濃度の相関について報告する。