[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-C200-11] GaNへのMgイオン注入により形成される結晶欠陥とMg凝集のアクセプタ形成に与える影響

〇狩野 絵美¹、大築 立旺¹、片岡 恵太²、埋橋 淳³、櫻井 秀樹¹、上殿 明良⁴、成田 哲生²、Sierakowski Kacper⁵、Bockowski Michal⁵、小林 功季¹、大久保 忠勝³、宝野 和博³、加地 徹¹、五十嵐 信行¹ (1.名古屋大、2.豊田中研、3.NIMS、4.筑波大、5.IHPP PAS)

キーワード：GaN、透過型電子顕微鏡

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール（1300 ℃－1480 ℃, 0. 5 min－90 min）を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では、活性化アニール後に残留する結晶欠陥が、Mgアクセプタ形成に与える影響とそのメカニズムについて考察する。