[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-C200-3] High-rate growth of the OVPE-GaN crystal by the suppression of parasitic polycrystal growth around the wall using NH₃ decomposition catalyst

〇Itsuki Kawanami¹, Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Tomoaki Sumi³, Junichi Takino³, Yoshio Okayama³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ, 2.ILE Osaka Univ, 3.Panasonic Hordings Corp, 4.Itochu Plastics Inc, 5.Sosho-Ohshin Inc)

Keywords:semiconductor, Gallium nitride, Oxide Vapor Phase Epitaxy

低コストGaNウェハの作製には、大口径かつ厚膜化可能なバルク結晶成長技術の開発が重要である。Ga2O ガスを用いた気相成長 (Oxide Vapor Phase Epitaxy) 法を用いてバルク結晶の作製を行っており、HClフリーのため原理的に長時間育成に期待できる。低核生成頻度条件により200 μm/h程度の高速成長に成功している。しかし現状、長時間の育成時に多結晶が一部発生し、厚膜化が阻害される問題がある。本研究では、高融点金属であるタングステンにより多結晶抑制低減を試みた。