[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-6] Naフラックス法における低温成長を用いたGaN結晶の等方的な六角錐成長と品質の向上

〇(D)濱田 和真¹、今西 正幸¹、垣之内 啓介¹、奥村 加奈子¹、山田 拓海¹、中村 幸介¹、村上 航介¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法、結晶成長

Naフラックス法ではこれまで高品質なGaN結晶を作製してきたが、成長条件によっては従来よりも品質の悪い結晶が得られることがあり、その原因も不明であった。今回、成長初期に低温成長を用いることで結晶品質が向上することが分かった。さらに初期に低温成長を用いることでGaN結晶の六角錐形状が等方的になっていることが分かり、結晶品質の悪化は異方的な六角錐形状によって引き起こされていることも示唆された。