The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Sep 21, 2022 9:00 AM - 12:00 PM C200 (C200)

Narihito Okada(Yamaguchi Univ.), Hisashi Murakami(TUAT)

10:45 AM - 11:00 AM

[21a-C200-7] Effect of dislocation reduction through facet growth caused by decomposed substrate surface in the Na flux method

Shogo Washida1, Ricksen Tandryo1, Kazuma Hamada1, Tatsuhiko Nakajima1, Kosuke Murakami1, Masayuki Imanishi1, Shigeyoshi Usami1, Mihoko Maruyama1, Masashi Yoshimura2, Yusuke Mori1 (1.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:Gallium nitride, Na flux method, Dislocation

GaN系縦型パワーデバイスの実現には低転位なGaN基板が必要である。我々はNaフラックス法において、HVPE製のGaN基板を窒素雰囲気の気相中に900°Cで保持することで表面が分解し、高指数面が現れることを発見した。分解した表面上の結晶育成により、高指数面のファセット成長層が発生した。さらに成長層の転位密度は種基板より減少していた。したがって、基板表面分解を起因とするファセット成長により転位低減が可能であることがわかった。