[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-7] Naフラックス法における基板表面分解を起因としたファセット成長による転位減少効果

〇鷲田 将吾¹、Ricksen Tandryo¹、濱田 和真¹、中島 達彦¹、村上 航介¹、今西 正幸¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法、転位

GaN系縦型パワーデバイスの実現には低転位なGaN基板が必要である。我々はNaフラックス法において、HVPE製のGaN基板を窒素雰囲気の気相中に900°Cで保持することで表面が分解し、高指数面が現れることを発見した。分解した表面上の結晶育成により、高指数面のファセット成長層が発生した。さらに成長層の転位密度は種基板より減少していた。したがって、基板表面分解を起因とするファセット成長により転位低減が可能であることがわかった。