[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-C200-7] Effect of dislocation reduction through facet growth caused by decomposed substrate surface in the Na flux method

〇Shogo Washida¹, Ricksen Tandryo¹, Kazuma Hamada¹, Tatsuhiko Nakajima¹, Kosuke Murakami¹, Masayuki Imanishi¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:Gallium nitride, Na flux method, Dislocation

GaN系縦型パワーデバイスの実現には低転位なGaN基板が必要である。我々はNaフラックス法において、HVPE製のGaN基板を窒素雰囲気の気相中に900°Cで保持することで表面が分解し、高指数面が現れることを発見した。分解した表面上の結晶育成により、高指数面のファセット成長層が発生した。さらに成長層の転位密度は種基板より減少していた。したがって、基板表面分解を起因とするファセット成長により転位低減が可能であることがわかった。