[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-9] Naフラックス法におけるGa-Na融液の電気抵抗測定を用いたGaN結晶成長速度のモニタリング

〇リクセン タンドリーヨ¹、糸澤 孝一¹、村上 航介¹、久保 等¹、今西 正幸¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：結晶成長、モニタリング、成長速度

近年Naフラックス法により大口径かつ高品質な窒化ガリウム（GaN）結晶の作製に成功している。一方、900℃・40気圧程度の高温・高圧環境に加え、腐食性の高いGa-Na液体金属内にて結晶成長を行うため、成長過程の観察が困難であった。結晶成長過程のモニタリングは、結晶製造プロセスの安定化に繋がる。そこで、我々はGa-Na融液の電気抵抗測定による観察を新たなモニタリング技術として提案した。これまでに我々はGaN結晶の成長に伴いGa-Na融液の電気抵抗が減少することを報告した。本研究では、結晶成長中において窒素圧力を変化させたところ、結晶成長速度の変化に伴いGa-Na融液の電気抵抗減少レートが変化することを発見した。