[21a-C202-1~12] 17.3 Layered materials

[21a-C202-1] Fabrication of HfS₂ thin films by chemical vapor deposition

〇Takashi Yanase¹, Ayano Baba¹, Yuji Takenami¹, Toshihiro Shimada² (1.Toho Univ., 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, chemical vapor deposition, hafnium sulfide

独自に確立した流路分離型化学気相蒸着装置を用い、HfCl₄と硫黄を原料として原子層物質であるHfS₂シートの合成を行った。得られた膜には結晶構造を反映した六角形ドメインが観察され、ドメインの大きさは約10µmであった。また、X線回折からc軸配向して成長していることも確認できた。さらに、RamanスペクトルからはHfS₂に対応する振動モードが観測され、HfS₂の合成に成功していることを確認した。