[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

[21a-C202-1] 化学気相蒸着法によるHfS₂薄膜の作製

〇柳瀬 隆¹、馬塲 彩乃¹、竹並 優児¹、島田 敏宏² (1.東邦大理化、2.北大応化)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相蒸着法、硫化ハフニウム

独自に確立した流路分離型化学気相蒸着装置を用い、HfCl₄と硫黄を原料として原子層物質であるHfS₂シートの合成を行った。得られた膜には結晶構造を反映した六角形ドメインが観察され、ドメインの大きさは約10µmであった。また、X線回折からc軸配向して成長していることも確認できた。さらに、RamanスペクトルからはHfS₂に対応する振動モードが観測され、HfS₂の合成に成功していることを確認した。