2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 C206 (C206)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、森 伸也(阪大)

09:15 〜 09:30

[21a-C206-2] マイクロコンタクトプリンティングを併用したシリコンの気相中酸化グラフェンアシストエッチング

窪田 航1、山岡 遼也1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)

キーワード:アシストエッチング、酸化グラフェン、触媒

シリコン表面微細加工技術の一つとして,貴金属や炭素材料を触媒として用いたアシストエッチングが注目されている.近年,この手法の一つとして,気相中でのアシストエッチングが注目されている.これまでに我々は酸化グラフェン(GO)を触媒として用いたシリコンの気相中アシストエッチングが可能であることを報告した.今回我々はマイクロコンタクトプリンティング(µCP)を用いてGOパターンを形成し,エッチング位置制御に成功した.