The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[21a-C206-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Wed. Sep 21, 2022 9:00 AM - 12:30 PM C206 (C206)

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[21a-C206-4] Sticking behavior of trace metals onto silicon wafer surface due to change in water pH

Masato Nakatsu1 (1.United Semiconductor Japan Co.,Ltd.)

Keywords:silicon wafer, trace metals in pure water, pH

純水中に極微量金属が存在した場合、金属種によってウエーハに付着する量は大きく違う。NaやK等のアルカリ金属及びMoやW等酸化物イオンとなる金属はウエーハに付着せず、その他の金属においてはウエーハへの付着量に大きな差はない。純水からのウエーハへの付着に関してはこの通りであるが、実際のWET工程では純水だけでウエーハを洗浄するわけではなく、SC-1やSC-2等アルカリ~酸領域まで大きくpHは変化するので、純水(中性)だけを評価しても不充分である。そこで、アンモニア、硝酸を用いpHを変化させ、極微量金属のウエーハへの付着量を求め、実際のWET工程での影響に関する基礎データを得た。