2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 C206 (C206)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、森 伸也(阪大)

09:45 〜 10:00

[21a-C206-4] pH変化による極微量金属のウエーハ付着挙動

中津 正人1 (1.ユナイテッドセミコンダクタージャパン(株))

キーワード:シリコンウエーハ、純水中金属、pH

純水中に極微量金属が存在した場合、金属種によってウエーハに付着する量は大きく違う。NaやK等のアルカリ金属及びMoやW等酸化物イオンとなる金属はウエーハに付着せず、その他の金属においてはウエーハへの付着量に大きな差はない。純水からのウエーハへの付着に関してはこの通りであるが、実際のWET工程では純水だけでウエーハを洗浄するわけではなく、SC-1やSC-2等アルカリ~酸領域まで大きくpHは変化するので、純水(中性)だけを評価しても不充分である。そこで、アンモニア、硝酸を用いpHを変化させ、極微量金属のウエーハへの付着量を求め、実際のWET工程での影響に関する基礎データを得た。