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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 C206 (C206)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

10:15 〜 10:30

[21a-C206-6] 高温短時間熱処理による極薄SiO₂上に形成したa-Si膜の結晶化

〇(D)今井友貴¹、牧原克典¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：結晶シリコン、SOI