[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-1] CO₂雰囲気下でのSiC表面酸化反応

〇(B)出口 竜大¹、細井 卓治¹ (1.関学大理工)

キーワード：SiC、酸化、CO2

これまでにCO₂熱処理による電界効果移動度の向上や信頼性向上が報告されているが、その酸化反応機構は十分に明らかとなっていない。1500°C以上のCO₂熱酸化ではその高い活性化エネルギーからSiO₂とSiCの反応が支配的であると考えられている。本研究では1250~1350°CでのCO₂熱酸化について検討した。結果的にこの温度域でも緩やかに酸化は進行するが、1500°C以上の場合とは異なる酸化反応が支配的であるとわかった。