[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [21a-M206-1] Thermal Oxidation of SiC Surface in CO₂ Atmosphere

〇(B)Ryuta Deguchi¹, Takuji Hosoi¹ (1.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:SiC, Oxidation, CO2

これまでにCO₂熱処理による電界効果移動度の向上や信頼性向上が報告されているが、その酸化反応機構は十分に明らかとなっていない。1500°C以上のCO₂熱酸化ではその高い活性化エネルギーからSiO₂とSiCの反応が支配的であると考えられている。本研究では1250~1350°CでのCO₂熱酸化について検討した。結果的にこの温度域でも緩やかに酸化は進行するが、1500°C以上の場合とは異なる酸化反応が支配的であるとわかった。