[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-7] NOアニールしたSiC/SiO₂界面原子構造の第一原理計算

〇大本 瑞穂¹、小松 直貴¹、植本 光治¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：炭化ケイ素、NOアニール、界面原子構造

SiC MOS界面には欠陥が多く、電子移動度はバルク中と比較して著しく低い。欠陥準位密度を低減し、移動度を向上させるための手法としてNOアニールが挙げられるが、N原子が入った界面構造がどのようになっているのかは未だ明らかにされていない。本研究では、SiCのa面、m面、C面、Si面のどの面で窒化が起こった場合が一番安定であるのか、また、窒化後の界面の構造はどのようになっているのかを、第一原理計算を用いて調べた。