[21a-P01-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[21a-P01-2] ラマン分光法を用いたSi基板上孤立ダイヤモンド単結晶上の二次核評価

〇山崎 翔平¹、萩原 大智¹、塚本 貴広¹、一色 秀夫¹ (1.電通大)

キーワード：ダイヤモンド、ラマン分光法、二次核

ダイヤモンドはワイドバンドギャップ、高い絶縁破壊電圧などを持つことから次世代のパワーデバイス材料として注目されている。パワーデバイスの安定性に寄与する要因は結晶欠陥の存在であり、結晶評価はデバイス開発において必要不可欠である。ラマン分光法は非破壊、非接触でイメージング画像が作成可能という利点がある。本発表では、ラマン分光法を用いたSi基板上ダイヤモンド単結晶表面における二次核の評価について報告する。